摘要为提高纳米硅溶胶在硅片上2薄膜的化学机械抛光功率用硅烷偶联剂在酸性条件下

  对硅溶胶进行外表改性对得到的产品进行化学机械抛光及通过粒度剖析仪剖析氧化硅粒径和电位改动并

  通过红外光谱剖析仪和原子力显微镜剖析氧化硅颗粒外表是否接枝上了硅烷偶联剂依据成果得出通过改性后的硅

  氧化硅颗粒外表时存在粘弹性用抛光机测得运用改性后的硅溶胶比运用未改性的硅溶胶去除速率有所提高并

  在改性含量时去除速率到达最快改性后的硅溶胶粒子电位趋向于正向增大且跟着参加改性剂的量

  根本没发生改动红外试验和原子力试验证明成功地接枝到颗粒外表参加改性剂后不只改动

  了氧化硅外表电位也改动了水化层一起使小粒径胶粒的水化层变厚大粒径的水化层变薄使电位由

  作者简介魏震男湖北钟祥人在读硕士师从宋志棠教授主要是做集成电路工程化学机械抛光的研讨电

  硅溶胶为纳米级的二氧化硅颗粒在水中或溶剂0．03%，0．04%，0．05%，0．1%的水解后的KH550

  中的涣散液常用的制备办法有离子交换法渗现配现用条件下在磁力拌和中进行混合改

  擦功能等北京有色金属研讨总院吴明浙江大用傅里叶红外改换光谱仪(FTIＲ)剖析改性前

  1．3硅溶胶的改性以及改性前后用于硅片上的振荡峰，794cm－1邻近代表了Si—O键的曲折振荡

  SiO2薄膜化学机械抛光试验峰，3400cm－1邻近和1616cm－1邻近或许代表了

  离子交换树脂除掉其间的阳离子并使硅溶胶全体处外表的影响能够估测硅烷偶联剂可

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