将浓度为10wt%的晶种溶液参加反应釜，参加碱溶液使得溶液pH值操控在11.2至11.8，
将温度操控在100‑120℃，加热25至30h后，当pH值小于10.3时，参加碱溶液并将pH操控保持
在9.8至10.3，直到得到粒径为100‑120nm的硅溶胶溶液，一起通入浓度为10wt%的晶种溶液
2.依据权利要求1所述的一种制备大粒径硅溶胶的办法，其特征是，所述硅溶胶溶液
3.依据权利要求1所述的一种制备大粒径硅溶胶的办法，其特征是，所述晶种溶液通
将活性硅酸参加反应釜，参加碱溶液使得溶液pH值操控在9至11，将浓度为1g/L至3g/L
的氯化钙溶液参加反应釜中，加热至100‑120℃，水蒸气开端蒸腾时，向上述溶液持续参加
活性硅酸，活性硅酸的流速使得液面保持不变，直到得到粒径为20至30nm的晶种溶液。
4.依据权利要求3所述的一种制备大粒径硅溶胶的办法，其特征是，所述活性硅酸的
5.依据权利要求1至4中任一权利要求所述的一种制备大粒径硅溶胶的办法，其特征在
6.依据权利要求1或4所述的一种制备大粒径硅溶胶的办法，其特征是，所述加热方
烧结氧化硅和胶体氧化硅。烧结氧化硅抛光速率快可是被抛光资料表面上的质量差，划伤严峻；
胶体氧化硅表面上的质量好可是抛光速率慢。怎么样进步胶体氧化硅的抛光速率，是CMP抛光液面
将浓度为10wt％的晶种溶液参加反应釜，参加碱溶液使得溶液pH值操控在11.2至
11.8，将温度操控在100‑120℃，加热25至30h后，当pH值小于10.3时，参加碱溶液并将pH控
制保持在9.8至10.3，直到得到粒径为100‑120nm的硅溶胶溶液，一起通入浓度为10wt％的
将活性硅酸参加反应釜，参加碱溶液使得溶液pH值操控在9至11，将浓度为1g/L至
3g/L的氯化钙溶液参加反应釜中，加热至100‑120℃，水蒸气开端蒸腾时，向上述溶液持续
参加活性硅酸，活性硅酸的流速使得液面保持不变，直到得到粒径为20至30nm的晶种溶液。
A1、将活性硅酸参加反应釜，参加5wt％浓度的KOH溶液使得溶液pH值操控在11左
右，将浓度为约2g/L的氯化钙溶液参加反应釜中，加热至约110℃，水蒸气开端蒸腾时，向上
述溶液持续参加活性硅酸，活性硅酸的流速使得液面保持不变，直到得到粒径为约20至
A2、将浓度为10wt％的晶种溶液参加反应釜，参加5wt％浓度的KOH溶液使得溶液
pH值操控在11.2至11.8，将温度操控在约110℃，加热25h左右后，当pH值小于10.3时，参加
5wt％浓度的KOH溶液并将pH操控保持在9.8至10.3，直到得到粒径为100‑120nm的硅溶胶溶
B1、将活性硅酸参加反应釜，参加5wt％浓度的KOH溶液使得溶液pH值操控在11左
右，将浓度为约2g/L的氯化钙溶液参加反应釜中，加热至约110℃，水蒸气开端蒸腾时，向上
述溶液持续参加活性硅酸，活性硅酸的流速使得液面保持不变，直到得到粒径为约20至
B2、将浓度为10wt％的晶种溶液参加反应釜，参加5wt％浓度的KOH溶液使得溶液
pH值操控在11.2至11.8，将温度操控在约110℃，加热60左右后，直到得到粒径为100‑120nm
C1、将活性硅酸参加反应釜，参加5wt％浓度的KOH溶液使得溶液pH值操控在11左
右，将浓度为约2g/L的氯化钙溶液参加反应釜中，加热至约110℃，水蒸气开端蒸腾时，向上
述溶液持续参加活性硅酸，活性硅酸的流速使得液面保持不变，直到得到粒径为约20至
C2、将浓度为10wt％的晶种溶液参加反应釜，参加5wt％浓度的KOH溶液使得溶液
pH值操控在11 .2至11 .8，将温度操控在约110℃，加热50h左右后，当pH值小于9.8时，参加
5wt％浓度的KOH溶液并将pH操控保持在9.3至9.8，直到得到粒径为100‑120nm的硅溶胶溶
D1、将活性硅酸参加反应釜，参加5wt％浓度的KOH溶液使得溶液pH值操控在11左
右，将浓度为约2g/L的氯化钙溶液参加反应釜中，加热至约110℃，水蒸气开端蒸腾时，向上
述溶液持续参加活性硅酸，活性硅酸的流速使得液面保持不变，直到得到粒径为约20至
D2、将浓度为10wt％的晶种溶液参加反应釜，参加5wt％浓度的KOH溶液使得溶液
pH值操控在11.2至11.8，将温度操控在约110℃，加热15h左右后，当pH值小于10.8时，参加
5wt％浓度的KOH溶液并将pH操控保持在10.3至10.8，一起通入浓度为10wt％的晶种溶液使
E1、将活性硅酸参加反应釜，参加5wt％浓度的KOH溶液使得溶液pH值操控在11左
右，加热至约110℃，水蒸气开端蒸腾时，向上述溶液持续参加活性硅酸，活性硅酸的流速使
E2、将浓度为10wt％的晶种溶液参加反应釜，参加5wt％浓度的KOH溶液使得溶液
pH值操控在11.2至11.8，将温度操控在约110℃，加热25h左右后，当pH值小于10.3时，参加
5wt％浓度的KOH溶液并将pH操控保持在9.8至10.3，直到得到粒径为100‑120nm的硅溶胶溶
抛光试验条件：选用兰州瑞德实业型号为X62485‑2的抛光机进行抛光试验，抛光
工件为C‑向蓝宝石基片，下盘转速为63RPM，上盘转速为60RPM，选用天津海伦的抛光垫，其
施行例1(2#试验)中的组成过程中pH值操控在9.8‑10.3时，抛光速率比1#试验工
艺进步22.3％，3#试验工艺进步34.5％。可是4#试验中，假如pH值过高时，组成过程中硅溶
施行例1(2#试验)中的组成的硅溶胶(晶种参加氯化钙溶液)的抛光速率比比5#实
验中组成的硅溶胶(晶种不加氯化钙溶液)的抛光速率进步23.5％，可能是因为引进引进Ca
离子今后，因为引进新的核，使得到的晶种的硬度更高，后续得到的硅溶胶的物理磨削力更
因而，硅溶胶组成过程中pH值的操控，对组成后的硅溶胶的抛光速率影响至关重
要，将pH值操控在9.8‑10.3时，其抛光速率比不操控pH的工艺进步22.3％，抛光速率比pH控
制在9.3‑9.8的工艺进步34.5％，操控pH在9.8‑10.3能有用提高其抛光速率。
以上表述仅为本发明的优选方法，应当指出，对本范畴的一般技术人员来说，在不
脱离本发明发明构思的前提下，还能做出若干变形和改善，这些也应视为本发明的维护
