金融界2024年12月5日音讯，国家知识产权局信息数据显现，长鑫存储技能有限公司请求一项名为“一种半导体结构、封装结构及制造的进程”的专利，揭露号 CN 119069431 A，请求日期为 2023年5月。

  专利摘要显现，本揭露是关于一种半导体结构、封装结构及制造的进程，半导体结构包含衬底、器材层和阻挠层，衬底具有中心区和环绕中心区的边际区；器材层设置于衬底上，器材层包含坐落边际区的器材和中心区的器材阻挠层坐落器材层和衬底之间且阻挠层坐落边际区阻挠层装备为阻挠边际区的器材向衬底传递电荷。经过在器材层与衬底之间设置阻挠层，该阻挠层坐落衬底的边际区，使用该阻挠层能够阻挠边际区的器材向衬底传递电荷，避免后续对半导体结构能够进行刻蚀时产生电弧放电，增强了对半导体结构的维护，提升了半导体结构的良率；别的，也提升了后续封装构成的封装结构的良率，降低了本钱。